CEB3120 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEB3120
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 43 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 40 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 7 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 215 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.015 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEB3120
CEB3120 Datasheet (PDF)
1.1. cep3120 ceb3120.pdf 
Size:429K _cet
CEP3120/CEB3120 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 40A,RDS(ON) = 15m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 22m? @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES S TO-263(DD-PAK) TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unl
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
