CEB3120 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEB3120
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de CEB3120 MOSFET
CEB3120 Datasheet (PDF)
cep3120 ceb3120.pdf

CEP3120/CEB3120N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 40A,RDS(ON) = 15m @VGS = 10V. RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 2
Otros transistores... CEB1186 , CEP1186 , CEB1195 , CEF1195 , CEP1195 , CEB21A2 , CEB3060 , CEB30N15L , IRF540N , CEB3205 , CEB4060A , CEB4060AL , CEB45N10 , CEB50N10 , CEB540L , CEB540N , CEB6036 .
History: AOT29S50L | AFC4516W | AFP3401AS | HGB190N15S | 2SK3608-01L | BSC030N03MS | DMB53D0UV
History: AOT29S50L | AFC4516W | AFP3401AS | HGB190N15S | 2SK3608-01L | BSC030N03MS | DMB53D0UV



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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