CEB3120. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEB3120

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для CEB3120

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB3120 даташит

 ..1. Size:429K  cet
 cep3120 ceb3120.pdf pdf_icon

CEB3120

CEP3120/CEB3120 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 40A,RDS(ON) = 15m @VGS = 10V. RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES S TO-263(DD-PAK) TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 2

Другие IGBT... CEB1186, CEP1186, CEB1195, CEF1195, CEP1195, CEB21A2, CEB3060, CEB30N15L, IRF540, CEB3205, CEB4060A, CEB4060AL, CEB45N10, CEB50N10, CEB540L, CEB540N, CEB6036