Справочник MOSFET. CEB3120

 

CEB3120 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEB3120
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB3120

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB3120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:429K  cet
 cep3120 ceb3120.pdf pdf_icon

CEB3120

CEP3120/CEB3120N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 40A,RDS(ON) = 15m @VGS = 10V. RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 2

Другие MOSFET... CEB1186 , CEP1186 , CEB1195 , CEF1195 , CEP1195 , CEB21A2 , CEB3060 , CEB30N15L , IRF540N , CEB3205 , CEB4060A , CEB4060AL , CEB45N10 , CEB50N10 , CEB540L , CEB540N , CEB6036 .

History: SFF60P05MDB

 

 
Back to Top

 


 
.