CEB3205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEB3205
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 108.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de CEB3205 MOSFET
CEB3205 Datasheet (PDF)
cep3205 ceb3205.pdf

CEP3205/CEB3205N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES55V, 108.5A, RDS(ON) = 8.5m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise no
Otros transistores... CEP1186 , CEB1195 , CEF1195 , CEP1195 , CEB21A2 , CEB3060 , CEB30N15L , CEB3120 , 50N06 , CEB4060A , CEB4060AL , CEB45N10 , CEB50N10 , CEB540L , CEB540N , CEB6036 , CEB6042 .
History: 2SK859 | 2SK0123 | 3N204 | IRLR2905 | SSF2314 | STH10NA50 | IRF9540N
History: 2SK859 | 2SK0123 | 3N204 | IRLR2905 | SSF2314 | STH10NA50 | IRF9540N



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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