CEB3205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEB3205

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 200 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 108.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 102.3 nC

Tiempo de elevación (tr): 14 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1115 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0085 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO263

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CEB3205 Datasheet (PDF)

1.1. cep3205 ceb3205.pdf Size:421K _cet

CEP3205/CEB3205 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 55V, 108.5A, RDS(ON) = 8.5m? @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted

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Liste

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