CEB3205. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEB3205

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 108.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для CEB3205

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB3205 даташит

 ..1. Size:421K  cet
 cep3205 ceb3205.pdf pdf_icon

CEB3205

CEP3205/CEB3205 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 55V, 108.5A, RDS(ON) = 8.5m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise no

Другие IGBT... CEP1186, CEB1195, CEF1195, CEP1195, CEB21A2, CEB3060, CEB30N15L, CEB3120, 50N06, CEB4060A, CEB4060AL, CEB45N10, CEB50N10, CEB540L, CEB540N, CEB6036, CEB6042