Справочник MOSFET. CEB3205

 

CEB3205 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEB3205
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 108.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB3205

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB3205 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:421K  cet
 cep3205 ceb3205.pdf pdf_icon

CEB3205

CEP3205/CEB3205N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES55V, 108.5A, RDS(ON) = 8.5m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise no

Другие MOSFET... CEP1186 , CEB1195 , CEF1195 , CEP1195 , CEB21A2 , CEB3060 , CEB30N15L , CEB3120 , 50N06 , CEB4060A , CEB4060AL , CEB45N10 , CEB50N10 , CEB540L , CEB540N , CEB6036 , CEB6042 .

History: GT55N06 | FQPF5P10

 

 
Back to Top

 


 
.