CEB4060A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEB4060A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm

Encapsulados: TO263

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CEB4060A datasheet

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CEB4060A

CEP4060A/CEB4060A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 17A, RDS(ON) = 85m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted

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CEB4060A

CEP4060AL/CEB4060AL N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 17A,RDS(ON) = 75m @VGS = 10V. RDS(ON) = 90m @VGS = 5.0V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES S TO-263(DD-PAK) TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

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