CEB4060A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEB4060A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для CEB4060A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB4060A даташит

 ..1. Size:399K  cet
 cep4060a ceb4060a.pdf pdf_icon

CEB4060A

CEP4060A/CEB4060A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 17A, RDS(ON) = 85m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220 S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted

 0.1. Size:401K  cet
 cep4060al ceb4060al.pdf pdf_icon

CEB4060A

CEP4060AL/CEB4060AL N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 17A,RDS(ON) = 75m @VGS = 10V. RDS(ON) = 90m @VGS = 5.0V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES S TO-263(DD-PAK) TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

Другие IGBT... CEB1195, CEF1195, CEP1195, CEB21A2, CEB3060, CEB30N15L, CEB3120, CEB3205, IRFP460, CEB4060AL, CEB45N10, CEB50N10, CEB540L, CEB540N, CEB6036, CEB6042, CEB6056