CEB45N10 Todos los transistores

 

CEB45N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEB45N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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CEB45N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:446K  cet
 cep45n10 ceb45n10.pdf pdf_icon

CEB45N10

CEP45N10/CEB45N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 44A, RDS(ON) = 39m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted

Otros transistores... CEP1195 , CEB21A2 , CEB3060 , CEB30N15L , CEB3120 , CEB3205 , CEB4060A , CEB4060AL , IRFP460 , CEB50N10 , CEB540L , CEB540N , CEB6036 , CEB6042 , CEB6056 , CEB6060L , CEB6060N .

History: MPSD60M600 | HGB025N12S | SHD218505B | UF830L-TM3-T

 

 
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