Справочник MOSFET. CEB45N10

 

CEB45N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEB45N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB45N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB45N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:446K  cet
 cep45n10 ceb45n10.pdf pdf_icon

CEB45N10

CEP45N10/CEB45N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 44A, RDS(ON) = 39m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted

Другие MOSFET... CEP1195 , CEB21A2 , CEB3060 , CEB30N15L , CEB3120 , CEB3205 , CEB4060A , CEB4060AL , IRFP460 , CEB50N10 , CEB540L , CEB540N , CEB6036 , CEB6042 , CEB6056 , CEB6060L , CEB6060N .

History: RJK2017DPE | FMP20N50E | ME4972-G | HY1803C2 | P4506BD | DAMH50N500H | OSG65R070PT3F

 

 
Back to Top

 


 
.