CEB45N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEB45N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для CEB45N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB45N10 даташит

 ..1. Size:446K  cet
 cep45n10 ceb45n10.pdf pdf_icon

CEB45N10

CEP45N10/CEB45N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 44A, RDS(ON) = 39m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES S TO-263(DD-PAK) TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted

Другие IGBT... CEP1195, CEB21A2, CEB3060, CEB30N15L, CEB3120, CEB3205, CEB4060A, CEB4060AL, IRF640, CEB50N10, CEB540L, CEB540N, CEB6036, CEB6042, CEB6056, CEB6060L, CEB6060N