CEB540N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEB540N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 196 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm

Encapsulados: TO263

 Búsqueda de reemplazo de CEB540N MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CEB540N datasheet

 ..1. Size:407K  cet
 cep540n ceb540n cef540n.pdf pdf_icon

CEB540N

CEP540N/CEB540N CEF540N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 36A, RDS(ON) = 53m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEF SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220F S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C

 8.1. Size:681K  cet
 cep540l ceb540l cef540l.pdf pdf_icon

CEB540N

CEP540L/CEB540L CEF540L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 36A, RDS(ON) = 50m @VGS = 10V. RDS(ON) = 53m @VGS = 5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEF SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) TO-220F S TO-220 ABS

Otros transistores... CEB30N15L, CEB3120, CEB3205, CEB4060A, CEB4060AL, CEB45N10, CEB50N10, CEB540L, IRFB4110, CEB6036, CEB6042, CEB6056, CEB6060L, CEB6060N, CEB6086L, CEB60N06G, CEB60N10