CEB540N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CEB540N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 28 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 196 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.053 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEB540N

CEB540N Datasheet (PDF)

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cep540n ceb540n cef540n.pdf

CEP540N/CEB540N CEF540NN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 36A, RDS(ON) = 53m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired. DTO-220 & TO-263 package.GCEB SERIES CEF SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) TO-220F STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C

8.1. Size:681K cet
cep540l ceb540l cef540l.pdf

CEP540L/CEB540L CEF540LN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 36A, RDS(ON) = 50m @VGS = 10V. RDS(ON) = 53m @VGS = 5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIES CEF SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) TO-220F STO-220ABS

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Liste

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