Справочник MOSFET. CEB540N

 

CEB540N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEB540N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 196 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB540N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB540N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  cet
 cep540n ceb540n cef540n.pdf pdf_icon

CEB540N

CEP540N/CEB540N CEF540NN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 36A, RDS(ON) = 53m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired. DTO-220 & TO-263 package.GCEB SERIES CEF SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) TO-220F STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C

 8.1. Size:681K  cet
 cep540l ceb540l cef540l.pdf pdf_icon

CEB540N

CEP540L/CEB540L CEF540LN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 36A, RDS(ON) = 50m @VGS = 10V. RDS(ON) = 53m @VGS = 5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIES CEF SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) TO-220F STO-220ABS

Другие MOSFET... CEB30N15L , CEB3120 , CEB3205 , CEB4060A , CEB4060AL , CEB45N10 , CEB50N10 , CEB540L , IRF640N , CEB6036 , CEB6042 , CEB6056 , CEB6060L , CEB6060N , CEB6086L , CEB60N06G , CEB60N10 .

History: HMS75N65T | ME6874-G | SVT044R5NT | BL25N40-P | CHM5813ESQ2GP | CEP14A04

 

 
Back to Top

 


 
.