CEB540N - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEB540N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 196 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для CEB540N
CEB540N Datasheet (PDF)
cep540n ceb540n cef540n.pdf

CEP540N/CEB540N CEF540NN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 36A, RDS(ON) = 53m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired. DTO-220 & TO-263 package.GCEB SERIES CEF SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) TO-220F STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C
cep540l ceb540l cef540l.pdf

CEP540L/CEB540L CEF540LN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 36A, RDS(ON) = 50m @VGS = 10V. RDS(ON) = 53m @VGS = 5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIES CEF SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) TO-220F STO-220ABS
Другие MOSFET... CEB30N15L , CEB3120 , CEB3205 , CEB4060A , CEB4060AL , CEB45N10 , CEB50N10 , CEB540L , IRF640N , CEB6036 , CEB6042 , CEB6056 , CEB6060L , CEB6060N , CEB6086L , CEB60N06G , CEB60N10 .
History: AP98T06GP | BUK7M15-40H | SWJ5N70K | AP95T07GP-HF
History: AP98T06GP | BUK7M15-40H | SWJ5N70K | AP95T07GP-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet