CEB6186 Todos los transistores

 

CEB6186 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEB6186
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 125 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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CEB6186 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:432K  cet
 cep6186 ceb6186.pdf pdf_icon

CEB6186

CEP6186/CEB6186N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 33A, RDS(ON) = 25m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 2

Otros transistores... CEB6036 , CEB6042 , CEB6056 , CEB6060L , CEB6060N , CEB6086L , CEB60N06G , CEB60N10 , IRF9540 , CEP21A2 , CEP3060 , CEP30N15L , CEP3100 , CEP3120 , CEP3205 , CEP4060A , CEP4060AL .

History: CJ2324 | IRF1503S | IRFU3418PBF | F3F90HVX2 | VBE1206N | UF840KL-TN3-R

 

 
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