Справочник MOSFET. CEB6186

 

CEB6186 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEB6186
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB6186

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB6186 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:432K  cet
 cep6186 ceb6186.pdf pdf_icon

CEB6186

CEP6186/CEB6186N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 33A, RDS(ON) = 25m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 2

Другие MOSFET... CEB6036 , CEB6042 , CEB6056 , CEB6060L , CEB6060N , CEB6086L , CEB60N06G , CEB60N10 , IRF9540 , CEP21A2 , CEP3060 , CEP30N15L , CEP3100 , CEP3120 , CEP3205 , CEP4060A , CEP4060AL .

History: HGB050N14S | AP85T03GP | DAMI220N200 | CEM3258 | DMP6110SSD | HGT022N12S

 

 
Back to Top

 


 
.