CEB6186. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEB6186

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для CEB6186

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB6186 даташит

 ..1. Size:432K  cet
 cep6186 ceb6186.pdf pdf_icon

CEB6186

CEP6186/CEB6186 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 60V, 33A, RDS(ON) = 25m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 2

Другие IGBT... CEB6036, CEB6042, CEB6056, CEB6060L, CEB6060N, CEB6086L, CEB60N06G, CEB60N10, 2N7000, CEP21A2, CEP3060, CEP30N15L, CEP3100, CEP3120, CEP3205, CEP4060A, CEP4060AL