Справочник MOSFET. CEB6186

 

CEB6186 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CEB6186
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 43 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 33 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 24 nC
   Время нарастания (tr): 5 ns
   Выходная емкость (Cd): 125 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для CEB6186

 

 

CEB6186 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:432K  cet
 cep6186 ceb6186.pdf

CEB6186 CEB6186

CEP6186/CEB6186N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES60V, 33A, RDS(ON) = 25m @VGS = 10V. RDS(ON) = 32m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 2

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top