CEP3100 Todos los transistores

 

CEP3100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEP3100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de CEP3100 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CEP3100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:446K  cet
 cep3100.pdf pdf_icon

CEP3100

CEP3100N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 47A,RDS(ON) = 12m @VGS = 10V. RDS(ON) = 21m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 package.GCEP SERIESSTO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted

 9.1. Size:429K  cet
 cep3120 ceb3120.pdf pdf_icon

CEP3100

CEP3120/CEB3120N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 40A,RDS(ON) = 15m @VGS = 10V. RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 2

Otros transistores... CEB6060N , CEB6086L , CEB60N06G , CEB60N10 , CEB6186 , CEP21A2 , CEP3060 , CEP30N15L , AON7408 , CEP3120 , CEP3205 , CEP4060A , CEP4060AL , CEP45N10 , CEP50N10 , CEP540L , CEP540N .

History: BUK7E3R1-40E | AOB2910L | AP9980GM-HF | CEM6600

 

 
Back to Top

 


 
.