CEP3100 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEP3100

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 215 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: TO220

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CEP3100 datasheet

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CEP3100

CEP3100 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 30V, 47A,RDS(ON) = 12m @VGS = 10V. RDS(ON) = 21m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-220 package. G CEP SERIES S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted

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CEP3100

CEP3120/CEB3120 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 40A,RDS(ON) = 15m @VGS = 10V. RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES S TO-263(DD-PAK) TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 2

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