Справочник MOSFET. CEP3100

 

CEP3100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEP3100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для CEP3100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEP3100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:446K  cet
 cep3100.pdf pdf_icon

CEP3100

CEP3100N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES30V, 47A,RDS(ON) = 12m @VGS = 10V. RDS(ON) = 21m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 package.GCEP SERIESSTO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted

 9.1. Size:429K  cet
 cep3120 ceb3120.pdf pdf_icon

CEP3100

CEP3120/CEB3120N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 40A,RDS(ON) = 15m @VGS = 10V. RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 2

Другие MOSFET... CEB6060N , CEB6086L , CEB60N06G , CEB60N10 , CEB6186 , CEP21A2 , CEP3060 , CEP30N15L , AON7408 , CEP3120 , CEP3205 , CEP4060A , CEP4060AL , CEP45N10 , CEP50N10 , CEP540L , CEP540N .

History: CEP6060L | 2SK2826-ZJ

 

 
Back to Top

 


 
.