CEP3100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEP3100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 215 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для CEP3100

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEP3100 даташит

 ..1. Size:446K  cet
 cep3100.pdf pdf_icon

CEP3100

CEP3100 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 30V, 47A,RDS(ON) = 12m @VGS = 10V. RDS(ON) = 21m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-220 package. G CEP SERIES S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise noted

 9.1. Size:429K  cet
 cep3120 ceb3120.pdf pdf_icon

CEP3100

CEP3120/CEB3120 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 40A,RDS(ON) = 15m @VGS = 10V. RDS(ON) = 22m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES S TO-263(DD-PAK) TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 2

Другие IGBT... CEB6060N, CEB6086L, CEB60N06G, CEB60N10, CEB6186, CEP21A2, CEP3060, CEP30N15L, IRFP250N, CEP3120, CEP3205, CEP4060A, CEP4060AL, CEP45N10, CEP50N10, CEP540L, CEP540N