CEP3205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEP3205
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 108.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1115 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de CEP3205 MOSFET
CEP3205 Datasheet (PDF)
cep3205 ceb3205.pdf

CEP3205/CEB3205N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES55V, 108.5A, RDS(ON) = 8.5m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise no
Otros transistores... CEB60N06G , CEB60N10 , CEB6186 , CEP21A2 , CEP3060 , CEP30N15L , CEP3100 , CEP3120 , K3569 , CEP4060A , CEP4060AL , CEP45N10 , CEP50N10 , CEP540L , CEP540N , CEP6036 , CEP6042 .
History: HUFA76429S3S | FQA85N06 | 2SK2717 | HRS90N75K | SHD219451 | SHD219503 | IXFH6N120P
History: HUFA76429S3S | FQA85N06 | 2SK2717 | HRS90N75K | SHD219451 | SHD219503 | IXFH6N120P



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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