CEP3205 Todos los transistores

 

CEP3205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEP3205
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 108.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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CEP3205 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:421K  cet
 cep3205 ceb3205.pdf pdf_icon

CEP3205

CEP3205/CEB3205N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES55V, 108.5A, RDS(ON) = 8.5m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise no

Otros transistores... CEB60N06G , CEB60N10 , CEB6186 , CEP21A2 , CEP3060 , CEP30N15L , CEP3100 , CEP3120 , K3569 , CEP4060A , CEP4060AL , CEP45N10 , CEP50N10 , CEP540L , CEP540N , CEP6036 , CEP6042 .

History: SWY4N60D | S-LP2307LT1G | HGW059N12S | PMPB47XP | FQD1N50TM | IXTM10N60 | SM6A24NSU

 

 
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