CEP3205 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEP3205
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 108.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1115 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для CEP3205
CEP3205 Datasheet (PDF)
cep3205 ceb3205.pdf

CEP3205/CEB3205N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES55V, 108.5A, RDS(ON) = 8.5m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless otherwise no
Другие MOSFET... CEB60N06G , CEB60N10 , CEB6186 , CEP21A2 , CEP3060 , CEP30N15L , CEP3100 , CEP3120 , AO3400 , CEP4060A , CEP4060AL , CEP45N10 , CEP50N10 , CEP540L , CEP540N , CEP6036 , CEP6042 .
History: IXFX32N50Q | RJK0316DSP
History: IXFX32N50Q | RJK0316DSP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
irf640 datasheet | c945 transistor equivalent | irfz44 datasheet | tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625 | 2sc1815 transistor | 2sd718