CEF730G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEF730G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de CEF730G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CEF730G datasheet

 ..1. Size:414K  cet
 cep730g ceb730g cef730g.pdf pdf_icon

CEF730G

CEP730G/CEB730G CEF730G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP730G 400V 1 5.5A 10V CEB730G 400V 1 5.5A 10V CEF730G 400V 1 5.5A e 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(

Otros transistores... CEP6060L, CEP6060N, CEP6086, CEP6086L, CEP60N06G, CEP60N10, CEP6186, CEF630N, 5N65, CEF740A, CEF740G, CEF80N15, CEF830G, CEF840A, CEF840G, CEF840L, CEF85N75