CEF730G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEF730G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для CEF730G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF730G даташит

 ..1. Size:414K  cet
 cep730g ceb730g cef730g.pdf pdf_icon

CEF730G

CEP730G/CEB730G CEF730G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP730G 400V 1 5.5A 10V CEB730G 400V 1 5.5A 10V CEF730G 400V 1 5.5A e 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(

Другие IGBT... CEP6060L, CEP6060N, CEP6086, CEP6086L, CEP60N06G, CEP60N10, CEP6186, CEF630N, 5N65, CEF740A, CEF740G, CEF80N15, CEF830G, CEF840A, CEF840G, CEF840L, CEF85N75