Справочник MOSFET. CEF730G

 

CEF730G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEF730G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для CEF730G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF730G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:414K  cet
 cep730g ceb730g cef730g.pdf pdf_icon

CEF730G

CEP730G/CEB730G CEF730GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP730G 400V 1 5.5A 10VCEB730G 400V 1 5.5A 10VCEF730G 400V 1 5.5A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERIESTO-263(

Другие MOSFET... CEP6060L , CEP6060N , CEP6086 , CEP6086L , CEP60N06G , CEP60N10 , CEP6186 , CEF630N , 4435 , CEF740A , CEF740G , CEF80N15 , CEF830G , CEF840A , CEF840G , CEF840L , CEF85N75 .

History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60

 

 
Back to Top

 


 
.