CEF85N75 Todos los transistores

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CEF85N75 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEF85N75

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 75 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 75 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 86 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 9 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 715 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.012 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F

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CEF85N75 Datasheet (PDF)

1.1. cep85n75 ceb85n75 cef85n75.pdf Size:434K _cet

CEF85N75
CEF85N75

CEP85N75/CEB85N75 CEF85N75 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP85N75 75V 12m? 86A 10V CEB85N75 75V 12m? 86A 10V CEF85N75 75V 12m? 86A e 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package & TO-220F full-pak for through hole. G

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