CEF85N75. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEF85N75

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 715 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для CEF85N75

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF85N75 даташит

 ..1. Size:434K  cet
 cep85n75 ceb85n75 cef85n75.pdf pdf_icon

CEF85N75

CEP85N75/CEB85N75 CEF85N75 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP85N75 75V 12m 86A 10V CEB85N75 75V 12m 86A 10V CEF85N75 75V 12m 86A e 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package & TO-220F full-pak for through

Другие IGBT... CEF730G, CEF740A, CEF740G, CEF80N15, CEF830G, CEF840A, CEF840G, CEF840L, STP80NF70, CEB630N, CEB730G, CEB73A3G, CEB740A, CEB740G, CEB75A3, CEB75N06, CEB75N06G