Справочник MOSFET. CEF85N75

 

CEF85N75 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEF85N75
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 715 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для CEF85N75

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF85N75 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  cet
 cep85n75 ceb85n75 cef85n75.pdf pdf_icon

CEF85N75

CEP85N75/CEB85N75CEF85N75N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP85N75 75V 12m 86A 10VCEB85N75 75V 12m 86A 10VCEF85N75 75V 12m 86A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package & TO-220F full-pak for through

Другие MOSFET... CEF730G , CEF740A , CEF740G , CEF80N15 , CEF830G , CEF840A , CEF840G , CEF840L , 20N50 , CEB630N , CEB730G , CEB73A3G , CEB740A , CEB740G , CEB75A3 , CEB75N06 , CEB75N06G .

History: HMS4454 | IPB160N04S2L-03 | 2SK2666 | CTLDM7120-M563 | NCE70T900

 

 
Back to Top

 


 
.