Справочник MOSFET. CEF85N75

 

CEF85N75 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEF85N75
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 715 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CEF85N75 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  cet
 cep85n75 ceb85n75 cef85n75.pdf pdf_icon

CEF85N75

CEP85N75/CEB85N75CEF85N75N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP85N75 75V 12m 86A 10VCEB85N75 75V 12m 86A 10VCEF85N75 75V 12m 86A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package & TO-220F full-pak for through

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: UT8205AG-AG6 | UT4957 | SVG087R0NT | UTT108N03 | CEDM8001 | CEDM7001 | CEB730G

 

 
Back to Top

 


 
.