CEB630N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEB630N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
CEB630N Datasheet (PDF)
cep630n ceb630n cef630n.pdf

CEP630N/CEB630N CEF630NN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP630N 200V 0.36 9A 10VCEB630N 200V 0.36 9A 10VCEF630N 200V 0.36 9A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK)
Otros transistores... CEF740A , CEF740G , CEF80N15 , CEF830G , CEF840A , CEF840G , CEF840L , CEF85N75 , IRF1407 , CEB730G , CEB73A3G , CEB740A , CEB740G , CEB75A3 , CEB75N06 , CEB75N06G , CEB75N10 .



Liste
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