Справочник MOSFET. CEB630N

 

CEB630N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEB630N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB630N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB630N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:369K  cet
 cep630n ceb630n cef630n.pdf pdf_icon

CEB630N

CEP630N/CEB630N CEF630NN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP630N 200V 0.36 9A 10VCEB630N 200V 0.36 9A 10VCEF630N 200V 0.36 9A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(DD-PAK)

Другие MOSFET... CEF740A , CEF740G , CEF80N15 , CEF830G , CEF840A , CEF840G , CEF840L , CEF85N75 , IRF1407 , CEB730G , CEB73A3G , CEB740A , CEB740G , CEB75A3 , CEB75N06 , CEB75N06G , CEB75N10 .

History: IXFH30N50Q3 | KF7N65FM | STY80NM60N | IRF1407PBF

 

 
Back to Top

 


 
.