CEB630N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEB630N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для CEB630N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB630N даташит

 ..1. Size:369K  cet
 cep630n ceb630n cef630n.pdf pdf_icon

CEB630N

CEP630N/CEB630N CEF630N N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP630N 200V 0.36 9A 10V CEB630N 200V 0.36 9A 10V CEF630N 200V 0.36 9A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(DD-PAK)

Другие IGBT... CEF740A, CEF740G, CEF80N15, CEF830G, CEF840A, CEF840G, CEF840L, CEF85N75, IRFP450, CEB730G, CEB73A3G, CEB740A, CEB740G, CEB75A3, CEB75N06, CEB75N06G, CEB75N10