CEB740G Todos los transistores

 

CEB740G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEB740G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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CEB740G Datasheet (PDF)

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CEB740G

CEP740G/CEB740G CEF740GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP740G 400V 0.55 10A 10VCEB740G 400V 0.55 10A 10VCEF740G 400V 0.55 10A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERIEST

 8.1. Size:434K  cet
 cep740a ceb740a cef740a.pdf pdf_icon

CEB740G

CEP740A/CEB740ACEF740AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP740A 400V 0.55 10A 10VCEB740A 400V 0.55 10A 10VCEF740A 400V 0.55 10A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(D

Otros transistores... CEF840A , CEF840G , CEF840L , CEF85N75 , CEB630N , CEB730G , CEB73A3G , CEB740A , 10N65 , CEB75A3 , CEB75N06 , CEB75N06G , CEB75N10 , CEB80N15 , CEB830G , CEB83A3 , CEB83A3G .

History: SVSP11N65FJHD2 | BRCS2301MA | 2P829A | GT045N10M | ISL9N310AD3ST | CSD18502Q5B | FTK10N10

 

 
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