Справочник MOSFET. CEB740G

 

CEB740G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEB740G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB740G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB740G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:413K  cet
 cep740g ceb740g cef740g.pdf pdf_icon

CEB740G

CEP740G/CEB740G CEF740GN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP740G 400V 0.55 10A 10VCEB740G 400V 0.55 10A 10VCEF740G 400V 0.55 10A e 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.GSCEB SERIES CEP SERIES CEF SERIEST

 8.1. Size:434K  cet
 cep740a ceb740a cef740a.pdf pdf_icon

CEB740G

CEP740A/CEB740ACEF740AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP740A 400V 0.55 10A 10VCEB740A 400V 0.55 10A 10VCEF740A 400V 0.55 10A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.GSCEB SERIESCEP SERIES CEF SERIESTO-263(D

Другие MOSFET... CEF840A , CEF840G , CEF840L , CEF85N75 , CEB630N , CEB730G , CEB73A3G , CEB740A , 10N65 , CEB75A3 , CEB75N06 , CEB75N06G , CEB75N10 , CEB80N15 , CEB830G , CEB83A3 , CEB83A3G .

History: CJ3139KDW | CEB6060N | IXTQ96N15P | FDS5170N7

 

 
Back to Top

 


 
.