CEB740G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEB740G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для CEB740G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB740G даташит

 ..1. Size:413K  cet
 cep740g ceb740g cef740g.pdf pdf_icon

CEB740G

CEP740G/CEB740G CEF740G N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP740G 400V 0.55 10A 10V CEB740G 400V 0.55 10A 10V CEF740G 400V 0.55 10A e 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES T

 8.1. Size:434K  cet
 cep740a ceb740a cef740a.pdf pdf_icon

CEB740G

CEP740A/CEB740A CEF740A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP740A 400V 0.55 10A 10V CEB740A 400V 0.55 10A 10V CEF740A 400V 0.55 10A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. G S CEB SERIES CEP SERIES CEF SERIES TO-263(D

Другие IGBT... CEF840A, CEF840G, CEF840L, CEF85N75, CEB630N, CEB730G, CEB73A3G, CEB740A, 4N60, CEB75A3, CEB75N06, CEB75N06G, CEB75N10, CEB80N15, CEB830G, CEB83A3, CEB83A3G