CEB80N15 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEB80N15

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 76 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 455 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm

Encapsulados: TO263

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CEB80N15 datasheet

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CEB80N15

CEP80N15/CEB80N15 CEF80N15 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP80N15 150V 19m 76A 10V CEB80N15 150V 19m 76A 10V CEF80N15 150V 19m 76A d 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-220 & TO-263 & TO-220F full-pak

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