CEB80N15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CEB80N15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 76 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 262 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 455 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEB80N15

CEB80N15 Datasheet (PDF)

..1. Size:420K cet
cep80n15 ceb80n15 cef80n15.pdf

CEP80N15/CEB80N15CEF80N15N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP80N15 150V 19m 76A 10VCEB80N15 150V 19m 76A 10VCEF80N15 150V 19m 76A d 10VSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 & TO-220F full-pak

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History: CEB85N75

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: