CEB80N15. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEB80N15

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 455 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для CEB80N15

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB80N15 даташит

 ..1. Size:420K  cet
 cep80n15 ceb80n15 cef80n15.pdf pdf_icon

CEB80N15

CEP80N15/CEB80N15 CEF80N15 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEP80N15 150V 19m 76A 10V CEB80N15 150V 19m 76A 10V CEF80N15 150V 19m 76A d 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-220 & TO-263 & TO-220F full-pak

Другие IGBT... CEB730G, CEB73A3G, CEB740A, CEB740G, CEB75A3, CEB75N06, CEB75N06G, CEB75N10, 5N60, CEB830G, CEB83A3, CEB83A3G, CEB840A, CEB840G, CEB840L, CEB84A4, CEB85A3