Справочник MOSFET. CEB80N15

 

CEB80N15 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CEB80N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 262 nC
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 455 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для CEB80N15

 

 

CEB80N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:420K  cet
 cep80n15 ceb80n15 cef80n15.pdf

CEB80N15 CEB80N15

CEP80N15/CEB80N15CEF80N15N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP80N15 150V 19m 76A 10VCEB80N15 150V 19m 76A 10VCEF80N15 150V 19m 76A d 10VSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 & TO-220F full-pak

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXTH39N10MA

 

 
Back to Top