Справочник MOSFET. CEB80N15

 

CEB80N15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEB80N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 455 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEB80N15

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB80N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:420K  cet
 cep80n15 ceb80n15 cef80n15.pdf pdf_icon

CEB80N15

CEP80N15/CEB80N15CEF80N15N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEP80N15 150V 19m 76A 10VCEB80N15 150V 19m 76A 10VCEF80N15 150V 19m 76A d 10VSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 & TO-220F full-pak

Другие MOSFET... CEB730G , CEB73A3G , CEB740A , CEB740G , CEB75A3 , CEB75N06 , CEB75N06G , CEB75N10 , 13N50 , CEB830G , CEB83A3 , CEB83A3G , CEB840A , CEB840G , CEB840L , CEB84A4 , CEB85A3 .

History: PK5G6EA | FDS6680S | IRF7478PBF-1 | STN4260 | HMS60N10D | ZXM64N035L3

 

 
Back to Top

 


 
.