CEBF640 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEBF640

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 355 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: TO263

 Búsqueda de reemplazo de CEBF640 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CEBF640 datasheet

 ..1. Size:396K  cet
 cepf640 cebf640 ceff640.pdf pdf_icon

CEBF640

CEPF640/CEBF640 CEFF640 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEPF640 200V 0.15 19A 10V CEBF640 200V 0.15 19A 10V CEFF640 200V 0.15 19A d 10V Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 & TO-220F full-pak for through hole.

 9.1. Size:407K  cet
 cepf634 cebf634 ceif634 ceff634.pdf pdf_icon

CEBF640

CEPF634/CEBF634 CEIF634/CEFF634 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES Type VDSS RDS(ON) ID @VGS CEPF634 250V 0.45 8.1A 10V CEBF634 250V 0.45 8.1A 10V CEIF634 250V 0.45 8.1A 10V CEFF634 250V 0.45 8.1A d 10V D Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-220 & TO-

 9.2. Size:512K  cet
 cepf630 cebf630.pdf pdf_icon

CEBF640

Otros transistores... CEP840L, CEP84A4, CEP85A3, CEP85N75, CEP85N75V, CEP9060N, CEP93A3, CEBF634, IRF730, CED01N65, CED01N65A, CED01N6G, CED01N7, CED02N65A, CED02N65G, CED02N6A, CED02N6G