Справочник MOSFET. CEBF640

 

CEBF640 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CEBF640
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 44 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для CEBF640

 

 

CEBF640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:396K  cet
 cepf640 cebf640 ceff640.pdf

CEBF640 CEBF640

CEPF640/CEBF640 CEFF640N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEPF640 200V 0.15 19A 10VCEBF640 200V 0.15 19A 10VCEFF640 200V 0.15 19A d 10VSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-263 & TO-220F full-pak for through hole.

 9.1. Size:407K  cet
 cepf634 cebf634 ceif634 ceff634.pdf

CEBF640 CEBF640

CEPF634/CEBF634CEIF634/CEFF634N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEPF634 250V 0.45 8.1A 10VCEBF634 250V 0.45 8.1A 10VCEIF634 250V 0.45 8.1A 10VCEFF634 250V 0.45 8.1A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-

 9.2. Size:512K  cet
 cepf630 cebf630.pdf

CEBF640 CEBF640

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: MTB14P03Q8 | JCS6AN70V | JCS8N60CB | 2SK2912L | IRF7416

 

 
Back to Top