CEBF640 - аналоги и даташиты транзистора

 

CEBF640 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CEBF640
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 355 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для CEBF640

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEBF640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:396K  cet
 cepf640 cebf640 ceff640.pdf pdf_icon

CEBF640

CEPF640/CEBF640 CEFF640N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEPF640 200V 0.15 19A 10VCEBF640 200V 0.15 19A 10VCEFF640 200V 0.15 19A d 10VSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-263 & TO-220F full-pak for through hole.

 9.1. Size:407K  cet
 cepf634 cebf634 ceif634 ceff634.pdf pdf_icon

CEBF640

CEPF634/CEBF634CEIF634/CEFF634N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESType VDSS RDS(ON) ID @VGSCEPF634 250V 0.45 8.1A 10VCEBF634 250V 0.45 8.1A 10VCEIF634 250V 0.45 8.1A 10VCEFF634 250V 0.45 8.1A d 10VDSuper high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-220 & TO-

 9.2. Size:512K  cet
 cepf630 cebf630.pdf pdf_icon

CEBF640

Другие MOSFET... CEP840L , CEP84A4 , CEP85A3 , CEP85N75 , CEP85N75V , CEP9060N , CEP93A3 , CEBF634 , BS170 , CED01N65 , CED01N65A , CED01N6G , CED01N7 , CED02N65A , CED02N65G , CED02N6A , CED02N6G .

History: BL7N65A-U | IXFT30N60P | DMG4800LSD | BL7N65B-A | CED01N65 | H2N60P

 

 
Back to Top

 


 
.