CED03N8 Todos los transistores

 

CED03N8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CED03N8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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CED03N8 Datasheet (PDF)

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 ceu03n8 ced03n8.pdf pdf_icon

CED03N8

CED03N8/CEU03N8N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES800V, 2.5A, RDS(ON) = 4.8 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C

Otros transistores... CED01N7 , CED02N65A , CED02N65G , CED02N6A , CED02N6G , CED02N7G , CED02N7G-1 , CED02N9 , IRF1404 , CED04N6 , CED04N65 , CED04N7G , CED05N65 , CED06N7 , CED07N65A , CED08N6A , CED12N10 .

History: P2504BDG | IXFV22N50PS | AP4002H

 

 
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