Справочник MOSFET. CED03N8

 

CED03N8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CED03N8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CED03N8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED03N8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  cet
 ceu03n8 ced03n8.pdf pdf_icon

CED03N8

CED03N8/CEU03N8N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES800V, 2.5A, RDS(ON) = 4.8 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C

Другие MOSFET... CED01N7 , CED02N65A , CED02N65G , CED02N6A , CED02N6G , CED02N7G , CED02N7G-1 , CED02N9 , IRF1404 , CED04N6 , CED04N65 , CED04N7G , CED05N65 , CED06N7 , CED07N65A , CED08N6A , CED12N10 .

History: 2SK4198FS | UPA2353 | IRHMS597260 | 2SK2628LS | HGN080N10S | MTNK3C3 | IRF7821PBF

 

 
Back to Top

 


 
.