CED03N8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CED03N8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED03N8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED03N8 даташит

 ..1. Size:415K  cet
 ceu03n8 ced03n8.pdf pdf_icon

CED03N8

CED03N8/CEU03N8 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 800V, 2.5A, RDS(ON) = 4.8 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C

Другие IGBT... CED01N7, CED02N65A, CED02N65G, CED02N6A, CED02N6G, CED02N7G, CED02N7G-1, CED02N9, IRF1404, CED04N6, CED04N65, CED04N7G, CED05N65, CED06N7, CED07N65A, CED08N6A, CED12N10