CED06N7 Todos los transistores

 

CED06N7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CED06N7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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CED06N7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:363K  cet
 ceu06n7 ced06n7.pdf pdf_icon

CED06N7

CED06N7/CEU06N7N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES700V, 5A, RDS(ON) = 2 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25

Otros transistores... CED02N7G , CED02N7G-1 , CED02N9 , CED03N8 , CED04N6 , CED04N65 , CED04N7G , CED05N65 , IRF3710 , CED07N65A , CED08N6A , CED12N10 , CED12N10L , CED14G04 , CEFF634 , CEFF640 , CEPF634 .

History: CEP13N5 | PMZ250UN | IXTH48N65X2

 

 
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