CED06N7 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CED06N7

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: TO251

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CED06N7 datasheet

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CED06N7

CED06N7/CEU06N7 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 700V, 5A, RDS(ON) = 2 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25

Otros transistores... CED02N7G, CED02N7G-1, CED02N9, CED03N8, CED04N6, CED04N65, CED04N7G, CED05N65, AO3400, CED07N65A, CED08N6A, CED12N10, CED12N10L, CED14G04, CEFF634, CEFF640, CEPF634