CED06N7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CED06N7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED06N7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED06N7 даташит

 ..1. Size:363K  cet
 ceu06n7 ced06n7.pdf pdf_icon

CED06N7

CED06N7/CEU06N7 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 700V, 5A, RDS(ON) = 2 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25

Другие IGBT... CED02N7G, CED02N7G-1, CED02N9, CED03N8, CED04N6, CED04N65, CED04N7G, CED05N65, AO3400, CED07N65A, CED08N6A, CED12N10, CED12N10L, CED14G04, CEFF634, CEFF640, CEPF634