CED07N65A Todos los transistores

 

CED07N65A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CED07N65A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 107 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 28 nC

Tiempo de elevación (tr): 58 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 42 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.45 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CED07N65A

 

CED07N65A Datasheet (PDF)

1.1. ceu07n65a ced07n65a.pdf Size:401K _cet

CED07N65A
CED07N65A

CED07N65A/CEU07N65A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 650V, 6A, RDS(ON) = 1.45? @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C

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