CED07N65A Todos los transistores

 

CED07N65A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CED07N65A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.45 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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CED07N65A Datasheet (PDF)

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CED07N65A

CED07N65A/CEU07N65AN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 6A, RDS(ON) = 1.45 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.DTO-251 & TO-252 package.DGGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless

 ..2. Size:401K  cet
 ceu07n65a ced07n65a.pdf pdf_icon

CED07N65A

CED07N65A/CEU07N65AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES650V, 6A, RDS(ON) = 1.45 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead free product is acquired.DTO-251 & TO-252 package.DGGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc =

Otros transistores... CED02N7G-1 , CED02N9 , CED03N8 , CED04N6 , CED04N65 , CED04N7G , CED05N65 , CED06N7 , AON6414A , CED08N6A , CED12N10 , CED12N10L , CED14G04 , CEFF634 , CEFF640 , CEPF634 , CEPF640 .

History: VS3615GE | CSD25401Q3 | SM6F02NSF | IXTA86N20T

 

 
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