CED07N65A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CED07N65A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.45 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED07N65A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED07N65A даташит

 ..1. Size:400K  cet
 ced07n65a ceu07n65a.pdf pdf_icon

CED07N65A

CED07N65A/CEU07N65A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 650V, 6A, RDS(ON) = 1.45 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless

 ..2. Size:401K  cet
 ceu07n65a ced07n65a.pdf pdf_icon

CED07N65A

CED07N65A/CEU07N65A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 650V, 6A, RDS(ON) = 1.45 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead free product is acquired. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc =

Другие IGBT... CED02N7G-1, CED02N9, CED03N8, CED04N6, CED04N65, CED04N7G, CED05N65, CED06N7, IRFB4227, CED08N6A, CED12N10, CED12N10L, CED14G04, CEFF634, CEFF640, CEPF634, CEPF640