CED14G04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CED14G04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 83 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 125 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Carga de compuerta (Qg): 50 nC
Tiempo de elevación (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 570 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0038 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO251
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CED14G04 Datasheet (PDF)
1.1. ceu14g04 ced14g04.pdf Size:415K _cet
CED14G04/CEU14G04 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 40V, 125A, RDS(ON) = 3.8m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.8m? @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLU
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Liste
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