CED14G04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CED14G04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 125 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 570 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de CED14G04 MOSFET
CED14G04 Datasheet (PDF)
ceu14g04 ced14g04.pdf

CED14G04/CEU14G04N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES40V, 125A, RDS(ON) = 3.8m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.8m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)
Otros transistores... CED04N65 , CED04N7G , CED05N65 , CED06N7 , CED07N65A , CED08N6A , CED12N10 , CED12N10L , IRFP250N , CEFF634 , CEFF640 , CEPF634 , CEPF640 , CEU01N65 , CEU01N65A , CEU01N6G , CEU01N7 .



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