CED14G04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CED14G04

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 83 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 125 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 50 nC

Tiempo de elevación (tr): 12 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 570 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0038 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO251

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CED14G04 Datasheet (PDF)

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CED14G04/CEU14G04 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 40V, 125A, RDS(ON) = 3.8m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.8m? @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLU

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