CED14G04 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CED14G04  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 125 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CED14G04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED14G04 даташит

 ..1. Size:415K  cet
 ceu14g04 ced14g04.pdf pdf_icon

CED14G04

CED14G04/CEU14G04 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 40V, 125A, RDS(ON) = 3.8m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.8m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK)

Другие IGBT... CED04N65, CED04N7G, CED05N65, CED06N7, CED07N65A, CED08N6A, CED12N10, CED12N10L, IRFB4115, CEFF634, CEFF640, CEPF634, CEPF640, CEU01N65, CEU01N65A, CEU01N6G, CEU01N7