Справочник MOSFET. CED14G04

 

CED14G04 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CED14G04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 125 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 50 nC

Время нарастания (tr): 12 ns

Выходная емкость (Cd): 570 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0038 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для CED14G04

 

 

CED14G04 Datasheet (PDF)

1.1. ceu14g04 ced14g04.pdf Size:415K _cet

CED14G04 CED14G04

CED14G04/CEU14G04 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 40V, 125A, RDS(ON) = 3.8m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.8m? @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLU

Другие MOSFET... CED04N65 , CED04N7G , CED05N65 , CED06N7 , CED07N65A , CED08N6A , CED12N10 , CED12N10L , IRFP450 , CEFF634 , CEFF640 , CEPF634 , CEPF640 , CEU01N65 , CEU01N65A , CEU01N6G , CEU01N7 .

 

 
Back to Top