CED14G04 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CED14G04
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 125 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для CED14G04
CED14G04 Datasheet (PDF)
ceu14g04 ced14g04.pdf

CED14G04/CEU14G04N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES40V, 125A, RDS(ON) = 3.8m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.8m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)
Другие MOSFET... CED04N65 , CED04N7G , CED05N65 , CED06N7 , CED07N65A , CED08N6A , CED12N10 , CED12N10L , AON6414A , CEFF634 , CEFF640 , CEPF634 , CEPF640 , CEU01N65 , CEU01N65A , CEU01N6G , CEU01N7 .
History: IRL3715ZS
History: IRL3715ZS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ14N65T | APJ14N65P | APJ14N65F | APJ14N65D | APN9N50D | AP65R190 | APJ50N65T | APJ50N65P | APJ50N65F | APJ30N65T | APJ30N65P | APJ30N65F | AP65R650 | APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S
Popular searches
bc546 transistor | bd243 | 2sk170 datasheet | 2n7000 equivalent | tip31 | tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent