CEU03N8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEU03N8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm

Encapsulados: TO252

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CEU03N8 datasheet

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CEU03N8

CED03N8/CEU03N8 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 800V, 2.5A, RDS(ON) = 4.8 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C

Otros transistores... CEU01N7, CEU02N65A, CEU02N65G, CEU02N6A, CEU02N6G, CEU02N7G, CEU02N7G-1, CEU02N9, K3569, CEU04N6, CEU04N65, CEU04N7G, CEU05N65, CEU06N7, CEU07N65A, CEU08N6A, CEU12N10