Справочник MOSFET. CEU03N8

 

CEU03N8 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEU03N8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для CEU03N8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU03N8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  cet
 ceu03n8 ced03n8.pdf pdf_icon

CEU03N8

CED03N8/CEU03N8N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES800V, 2.5A, RDS(ON) = 4.8 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C

Другие MOSFET... CEU01N7 , CEU02N65A , CEU02N65G , CEU02N6A , CEU02N6G , CEU02N7G , CEU02N7G-1 , CEU02N9 , SPP20N60C3 , CEU04N6 , CEU04N65 , CEU04N7G , CEU05N65 , CEU06N7 , CEU07N65A , CEU08N6A , CEU12N10 .

History: CTD02N004 | RFP12N08L | APT30M30B2LLG | 2SK1983 | P062ABDF | NTD5802NT4G | AP4429GM-HF

 

 
Back to Top

 


 
.