CEU03N8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEU03N8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для CEU03N8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU03N8 даташит

 ..1. Size:415K  cet
 ceu03n8 ced03n8.pdf pdf_icon

CEU03N8

CED03N8/CEU03N8 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 800V, 2.5A, RDS(ON) = 4.8 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C

Другие IGBT... CEU01N7, CEU02N65A, CEU02N65G, CEU02N6A, CEU02N6G, CEU02N7G, CEU02N7G-1, CEU02N9, K3569, CEU04N6, CEU04N65, CEU04N7G, CEU05N65, CEU06N7, CEU07N65A, CEU08N6A, CEU12N10