CEU03N8 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CEU03N8
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для CEU03N8
CEU03N8 Datasheet (PDF)
ceu03n8 ced03n8.pdf

CED03N8/CEU03N8N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES800V, 2.5A, RDS(ON) = 4.8 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C
Другие MOSFET... CEU01N7 , CEU02N65A , CEU02N65G , CEU02N6A , CEU02N6G , CEU02N7G , CEU02N7G-1 , CEU02N9 , SPP20N60C3 , CEU04N6 , CEU04N65 , CEU04N7G , CEU05N65 , CEU06N7 , CEU07N65A , CEU08N6A , CEU12N10 .
History: TK32E12N1 | RU40190S | DMJ7N70SK3 | 2SJ505S | DG2N60-251 | BSC054N04NSG | UT9435HL-AL6-R
History: TK32E12N1 | RU40190S | DMJ7N70SK3 | 2SJ505S | DG2N60-251 | BSC054N04NSG | UT9435HL-AL6-R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
tip31c transistor equivalent | 2sc1815 datasheet | mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p