CEU05N65 Todos los transistores

 

CEU05N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEU05N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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CEU05N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  cet
 ceu05n65 ced05n65.pdf pdf_icon

CEU05N65

CED05N65/CEU05N65N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 4A, RDS(ON) = 2.4 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless

 9.1. Size:365K  cet
 ced05p03 ceu05p03.pdf pdf_icon

CEU05N65

CED05P03/CEU05P03P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -15A, RDS(ON) = 70m @VGS = -10V. RDS(ON) = 120m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE

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History: SI1419DH | 2SK4181-TL-E | KI2304DS | PJS6832 | NCE60N700R | AO4932 | HM75N80D

 

 
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