Справочник MOSFET. CEU05N65

 

CEU05N65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEU05N65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для CEU05N65

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU05N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  cet
 ceu05n65 ced05n65.pdf pdf_icon

CEU05N65

CED05N65/CEU05N65N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES650V, 4A, RDS(ON) = 2.4 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless

 9.1. Size:365K  cet
 ced05p03 ceu05p03.pdf pdf_icon

CEU05N65

CED05P03/CEU05P03P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES-30V, -15A, RDS(ON) = 70m @VGS = -10V. RDS(ON) = 120m @VGS = -4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE

Другие MOSFET... CEU02N6G , CEU02N7G , CEU02N7G-1 , CEU02N9 , CEU03N8 , CEU04N6 , CEU04N65 , CEU04N7G , IRF9540N , CEU06N7 , CEU07N65A , CEU08N6A , CEU12N10 , CEU12N10L , CEU14G04 , CED16N10 , CED16N10L .

History: MTP3N80 | TDM3415 | AP9591GS | NVF6P02 | CPH6411 | TSM20N50CI | GSM8988W

 

 
Back to Top

 


 
.