CEU05N65. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEU05N65

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для CEU05N65

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU05N65 даташит

 ..1. Size:415K  cet
 ceu05n65 ced05n65.pdf pdf_icon

CEU05N65

CED05N65/CEU05N65 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 650V, 4A, RDS(ON) = 2.4 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead-free plating ; RoHS compliant. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless

 9.1. Size:365K  cet
 ced05p03 ceu05p03.pdf pdf_icon

CEU05N65

CED05P03/CEU05P03 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES -30V, -15A, RDS(ON) = 70m @VGS = -10V. RDS(ON) = 120m @VGS = -4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE

Другие IGBT... CEU02N6G, CEU02N7G, CEU02N7G-1, CEU02N9, CEU03N8, CEU04N6, CEU04N65, CEU04N7G, SKD502T, CEU06N7, CEU07N65A, CEU08N6A, CEU12N10, CEU12N10L, CEU14G04, CED16N10, CED16N10L