CEU06N7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEU06N7
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 107 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 29 nC
Tiempo de subida (tr): 73 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEU06N7
CEU06N7 Datasheet (PDF)
ceu06n7 ced06n7.pdf
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CED06N7/CEU06N7N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES700V, 5A, RDS(ON) = 2 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25
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