Справочник MOSFET. CEU06N7

 

CEU06N7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEU06N7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для CEU06N7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU06N7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:363K  cet
 ceu06n7 ced06n7.pdf pdf_icon

CEU06N7

CED06N7/CEU06N7N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorPRELIMINARYFEATURES700V, 5A, RDS(ON) = 2 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25

Другие MOSFET... CEU02N7G , CEU02N7G-1 , CEU02N9 , CEU03N8 , CEU04N6 , CEU04N65 , CEU04N7G , CEU05N65 , IRFB3607 , CEU07N65A , CEU08N6A , CEU12N10 , CEU12N10L , CEU14G04 , CED16N10 , CED16N10L , CED21A2 .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.