CEU08N6A Todos los transistores

 

CEU08N6A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEU08N6A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 107 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.25 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEU08N6A

 

CEU08N6A Datasheet (PDF)

1.1. ceu08n6a ced08n6a.pdf Size:398K _cet

CEU08N6A
CEU08N6A

CED08N6A/CEU08N6A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 600V, 6.2A, RDS(ON) = 1.25? @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc =

Otros transistores... CEU02N9 , CEU03N8 , CEU04N6 , CEU04N65 , CEU04N7G , CEU05N65 , CEU06N7 , CEU07N65A , IRFP260 , CEU12N10 , CEU12N10L , CEU14G04 , CED16N10 , CED16N10L , CED21A2 , CED25N15L , CED3060 .

 

 
Back to Top

 


CEU08N6A
  CEU08N6A
  CEU08N6A
  CEU08N6A
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: SIZ710DT | SIZ704DT | SIZ702DT | SIZ342DT | SIZ340DT | SIZ300DT | SIX3439K | SISS40DN | SISS23DN | SISA18DN | SISA18ADN | SISA14DN | SISA12DN | SISA12ADN | SISA10DN |

 

 

 
Back to Top