CEU08N6A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEU08N6A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.25 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de CEU08N6A MOSFET
CEU08N6A Datasheet (PDF)
ceu08n6a ced08n6a.pdf

CED08N6A/CEU08N6AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES600V, 6.2A, RDS(ON) = 1.25 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.DTO-251 & TO-252 package.DGGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Otros transistores... CEU02N9 , CEU03N8 , CEU04N6 , CEU04N65 , CEU04N7G , CEU05N65 , CEU06N7 , CEU07N65A , RFP50N06 , CEU12N10 , CEU12N10L , CEU14G04 , CED16N10 , CED16N10L , CED21A2 , CED25N15L , CED3060 .
History: IXFA20N50P3 | MTP15N15 | QM1830M3
History: IXFA20N50P3 | MTP15N15 | QM1830M3



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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