CEU08N6A Todos los transistores

 

CEU08N6A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEU08N6A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 107 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.25 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

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CEU08N6A Datasheet (PDF)

1.1. ceu08n6a ced08n6a.pdf Size:398K _cet

CEU08N6A
CEU08N6A

CED08N6A/CEU08N6A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 600V, 6.2A, RDS(ON) = 1.25? @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc =

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
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