CEU08N6A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEU08N6A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 107 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 600 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V
Corriente continua de drenaje (Id): 6.2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de elevación (tr): 8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.25 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO252
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CEU08N6A Datasheet (PDF)
1.1. ceu08n6a ced08n6a.pdf 
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CED08N6A/CEU08N6A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 600V, 6.2A, RDS(ON) = 1.25? @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc =
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