CEU08N6A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CEU08N6A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.25 Ohm
Encapsulados: TO252
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CEU08N6A datasheet
ceu08n6a ced08n6a.pdf
CED08N6A/CEU08N6A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 600V, 6.2A, RDS(ON) = 1.25 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Otros transistores... CEU02N9, CEU03N8, CEU04N6, CEU04N65, CEU04N7G, CEU05N65, CEU06N7, CEU07N65A, AON7410, CEU12N10, CEU12N10L, CEU14G04, CED16N10, CED16N10L, CED21A2, CED25N15L, CED3060
History: KRF7530
🌐 : EN ES РУ
Liste
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