CEU08N6A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEU08N6A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.25 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для CEU08N6A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU08N6A даташит

 ..1. Size:398K  cet
 ceu08n6a ced08n6a.pdf pdf_icon

CEU08N6A

CED08N6A/CEU08N6A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 600V, 6.2A, RDS(ON) = 1.25 @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Lead-free plating ; RoHS compliant. D TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие IGBT... CEU02N9, CEU03N8, CEU04N6, CEU04N65, CEU04N7G, CEU05N65, CEU06N7, CEU07N65A, AON7410, CEU12N10, CEU12N10L, CEU14G04, CED16N10, CED16N10L, CED21A2, CED25N15L, CED3060