Справочник MOSFET. CEU08N6A

 

CEU08N6A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEU08N6A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 107 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.25 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU08N6A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:398K  cet
 ceu08n6a ced08n6a.pdf pdf_icon

CEU08N6A

CED08N6A/CEU08N6AN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES600V, 6.2A, RDS(ON) = 1.25 @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.Lead-free plating ; RoHS compliant.DTO-251 & TO-252 package.DGGSCEU SERIESCED SERIESTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NCEAP40P80K | SM2302 | IPA60R460CE | LSG60R650HT | 18P10E | IRFY140M | VS8205BH

 

 
Back to Top

 


 
.