CEU14G04 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEU14G04

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 125 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 570 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de CEU14G04 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CEU14G04 datasheet

 ..1. Size:415K  cet
 ceu14g04 ced14g04.pdf pdf_icon

CEU14G04

CED14G04/CEU14G04 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 40V, 125A, RDS(ON) = 3.8m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.8m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK)

Otros transistores... CEU04N65, CEU04N7G, CEU05N65, CEU06N7, CEU07N65A, CEU08N6A, CEU12N10, CEU12N10L, IRF1010E, CED16N10, CED16N10L, CED21A2, CED25N15L, CED3060, CED3100, CED3120, CED3172