CEU14G04 Todos los transistores

 

CEU14G04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CEU14G04

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 83 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 125 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 12 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 570 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0038 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CEU14G04

 

CEU14G04 Datasheet (PDF)

1.1. ceu14g04 ced14g04.pdf Size:415K _cet

CEU14G04
CEU14G04

CED14G04/CEU14G04 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 40V, 125A, RDS(ON) = 3.8m? @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.8m? @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLU

Otros transistores... CEU04N65 , CEU04N7G , CEU05N65 , CEU06N7 , CEU07N65A , CEU08N6A , CEU12N10 , CEU12N10L , J310 , CED16N10 , CED16N10L , CED21A2 , CED25N15L , CED3060 , CED3100 , CED3120 , CED3172 .

 

 
Back to Top

 


CEU14G04
  CEU14G04
  CEU14G04
  CEU14G04
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: SW1N55D | SKI10297 | SKI10195 | SKI10123 | SKI07171 | SKI07114 | SKI07074 | SKI06106 | SKI06073 | SKI06048 | SKI04044 | SKI04033 | SKI04024 | SKI03087 | SKI03063 |

 

 

 
Back to Top