CEU14G04 Todos los transistores

 

CEU14G04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEU14G04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 125 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 570 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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CEU14G04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  cet
 ceu14g04 ced14g04.pdf pdf_icon

CEU14G04

CED14G04/CEU14G04N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES40V, 125A, RDS(ON) = 3.8m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.8m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)

Otros transistores... CEU04N65 , CEU04N7G , CEU05N65 , CEU06N7 , CEU07N65A , CEU08N6A , CEU12N10 , CEU12N10L , IRF530 , CED16N10 , CED16N10L , CED21A2 , CED25N15L , CED3060 , CED3100 , CED3120 , CED3172 .

History: TPP60R350C | APG077N01G | AM60N04-12D | FTK7002D | LNC045R090 | ELM35601KA | 2SJ188

 

 
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