CEU14G04. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEU14G04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 125 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для CEU14G04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU14G04 даташит

 ..1. Size:415K  cet
 ceu14g04 ced14g04.pdf pdf_icon

CEU14G04

CED14G04/CEU14G04 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARY FEATURES 40V, 125A, RDS(ON) = 3.8m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.8m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. D G G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK)

Другие IGBT... CEU04N65, CEU04N7G, CEU05N65, CEU06N7, CEU07N65A, CEU08N6A, CEU12N10, CEU12N10L, IRF1010E, CED16N10, CED16N10L, CED21A2, CED25N15L, CED3060, CED3100, CED3120, CED3172