Справочник MOSFET. CEU14G04

 

CEU14G04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CEU14G04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 125 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для CEU14G04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEU14G04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:415K  cet
 ceu14g04 ced14g04.pdf pdf_icon

CEU14G04

CED14G04/CEU14G04N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES40V, 125A, RDS(ON) = 3.8m @VGS = 10V. RDS(ON) = 6.8m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.D GGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)

Другие MOSFET... CEU04N65 , CEU04N7G , CEU05N65 , CEU06N7 , CEU07N65A , CEU08N6A , CEU12N10 , CEU12N10L , IRF530 , CED16N10 , CED16N10L , CED21A2 , CED25N15L , CED3060 , CED3100 , CED3120 , CED3172 .

History: SI4418DY | IXFH170N10P | SLP40N26C

 

 
Back to Top

 


 
.