CED16N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CED16N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: TO251

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CED16N10 datasheet

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CED16N10

CED16N10/CEU16N10 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 13.3A, RDS(ON) = 120m @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. G D G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-PAK) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless

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CED16N10

CED16N10L/CEU16N10L PRELIMINARY N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 100V, 13.3A, RDS(ON) = 115m @VGS = 10V. RDS(ON) = 125m @VGS = 5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). D High power and current handing capability. Lead free product is acquired. TO-251 & TO-252 package. G D G S CEU SERIES CED SERIES S TO-252(D-PAK) TO-251(I-P

Otros transistores... CEU04N7G, CEU05N65, CEU06N7, CEU07N65A, CEU08N6A, CEU12N10, CEU12N10L, CEU14G04, IRFB3607, CED16N10L, CED21A2, CED25N15L, CED3060, CED3100, CED3120, CED3172, CED3252