Справочник MOSFET. CED16N10

 

CED16N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CED16N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 2.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для CED16N10

 

 

CED16N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:623K  cet
 ceu16n10 ced16n10.pdf

CED16N10 CED16N10

CED16N10/CEU16N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 13.3A, RDS(ON) = 120m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless

 0.1. Size:684K  cet
 ceu16n10l ced16n10l.pdf

CED16N10 CED16N10

CED16N10L/CEU16N10LPRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 13.3A, RDS(ON) = 115m @VGS = 10V. RDS(ON) = 125m @VGS = 5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-P

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: NDP6030L

 

 
Back to Top