Справочник MOSFET. CED16N10

 

CED16N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CED16N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для CED16N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CED16N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:623K  cet
 ceu16n10 ced16n10.pdf pdf_icon

CED16N10

CED16N10/CEU16N10N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 13.3A, RDS(ON) = 120m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-PAK)ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless

 0.1. Size:684K  cet
 ceu16n10l ced16n10l.pdf pdf_icon

CED16N10

CED16N10L/CEU16N10LPRELIMINARYN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES100V, 13.3A, RDS(ON) = 115m @VGS = 10V. RDS(ON) = 125m @VGS = 5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).DHigh power and current handing capability.Lead free product is acquired.TO-251 & TO-252 package.GDGSCEU SERIESCED SERIESSTO-252(D-PAK)TO-251(I-P

Другие MOSFET... CEU04N7G , CEU05N65 , CEU06N7 , CEU07N65A , CEU08N6A , CEU12N10 , CEU12N10L , CEU14G04 , AON7506 , CED16N10L , CED21A2 , CED25N15L , CED3060 , CED3100 , CED3120 , CED3172 , CED3252 .

History: IRFS440 | RJK5032DPH-E0 | IXTH44P15T | FMP20N50E | ME4972-G | HY1803C2 | P4506BD

 

 
Back to Top

 


 
.