FDD5202P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDD5202P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO-252

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FDD5202P datasheet

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FDD5202P

September 2000 FDD5202P P-Channel, Logic Level, MOSFET Features General Description This P-Channel Logic level MOSFET is produced using -8 A, -60 V. RDS(on) = 0.3 @ VGS = -10 V Fairchild Semiconductor's advanced process that has RDS(on) = 0.5 @ VGS = -4.5 V. been especially tailored to minimize the on state resistance and yet maintain low gate charge for superior Low

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