FDD5202P Todos los transistores

 

FDD5202P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDD5202P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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FDD5202P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:82K  fairchild semi
 fdd5202p.pdf pdf_icon

FDD5202P

September 2000FDD5202PP-Channel, Logic Level, MOSFETFeaturesGeneral DescriptionThis P-Channel Logic level MOSFET is produced using -8 A, -60 V. RDS(on) = 0.3 @ VGS = -10 VFairchild Semiconductor's advanced process that has RDS(on) = 0.5 @ VGS = -4.5 V.been especially tailored to minimize the on stateresistance and yet maintain low gate charge for superior Low

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