FDD5202P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDD5202P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO-252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FDD5202P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD5202P даташит

 ..1. Size:82K  fairchild semi
 fdd5202p.pdf pdf_icon

FDD5202P

September 2000 FDD5202P P-Channel, Logic Level, MOSFET Features General Description This P-Channel Logic level MOSFET is produced using -8 A, -60 V. RDS(on) = 0.3 @ VGS = -10 V Fairchild Semiconductor's advanced process that has RDS(on) = 0.5 @ VGS = -4.5 V. been especially tailored to minimize the on state resistance and yet maintain low gate charge for superior Low

Другие IGBT... FDC638P, FDC640P, FDC6506P, FDC653N, FDC654P, FDC655AN, FDC6561AN, FDC658P, 18N50, FDD5680, FDD5690, FDD6030L, FDD6612A, FDD6670A, FDD6680, FDD6680A, FDD6690A