FDD5202P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDD5202P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15.5 nC
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 130 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO-252
FDD5202P Datasheet (PDF)
..1. Size:82K fairchild semi
fdd5202p.pdf
fdd5202p.pdf
September 2000FDD5202PP-Channel, Logic Level, MOSFETFeaturesGeneral DescriptionThis P-Channel Logic level MOSFET is produced using -8 A, -60 V. RDS(on) = 0.3 @ VGS = -10 VFairchild Semiconductor's advanced process that has RDS(on) = 0.5 @ VGS = -4.5 V.been especially tailored to minimize the on stateresistance and yet maintain low gate charge for superior Low
Другие MOSFET... FDC638P , FDC640P , FDC6506P , FDC653N , FDC654P , FDC655AN , FDC6561AN , FDC658P , IRFZ46N , FDD5680 , FDD5690 , FDD6030L , FDD6612A , FDD6670A , FDD6680 , FDD6680A , FDD6690A .
