Справочник MOSFET. FDD5202P

 

FDD5202P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDD5202P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15.5 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для FDD5202P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDD5202P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:82K  fairchild semi
 fdd5202p.pdf pdf_icon

FDD5202P

September 2000FDD5202PP-Channel, Logic Level, MOSFETFeaturesGeneral DescriptionThis P-Channel Logic level MOSFET is produced using -8 A, -60 V. RDS(on) = 0.3 @ VGS = -10 VFairchild Semiconductor's advanced process that has RDS(on) = 0.5 @ VGS = -4.5 V.been especially tailored to minimize the on stateresistance and yet maintain low gate charge for superior Low

Другие MOSFET... FDC638P , FDC640P , FDC6506P , FDC653N , FDC654P , FDC655AN , FDC6561AN , FDC658P , SKD502T , FDD5680 , FDD5690 , FDD6030L , FDD6612A , FDD6670A , FDD6680 , FDD6680A , FDD6690A .

 

 
Back to Top

 


 
.